规格书 |
HUF75639G3, P3, S3, S3S |
标准包装 | 400 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 56A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 25 mOhm @ 56A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 130nC @ 20V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2000pF @ 25V |
功率 - 最大 | 200W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D²PAK |
包装材料 | Tube |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 175 |
通道模式 | Enhancement |
标准包装名称 | D2PAK |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Rail |
最大漏源电阻 | 25@10V |
最大漏源电压 | 100 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | D2PAK |
最大功率耗散 | 200000 |
最大连续漏极电流 | 56 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 56A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
标准包装 | 400 |
供应商设备封装 | D²PAK |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 25 mOhm @ 56A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 200W |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2000pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 130nC @ 20V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
associated | 217-36CTRE6. |
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